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项目
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亚盈体育app官网入口单晶硅片
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生长方式
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CZ
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导电类型
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P
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掺杂剂
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硼B
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晶向
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<100>
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电阻率（Ω.cm）
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0.5-3/1-3/3-6
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电阻率径向不均匀性
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≤10%
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直径（mm）
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150±0.5/203±0.5
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切方规格（mm）
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125*125/156*156
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少子寿命（цs）
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≥10
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氧含量（atoms/cm3）
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≤1×1018
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碳含量（atoms/cm3） TD>
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≤5×1016
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位错密度（сm–2）
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≤3000
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硅片形态
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切片
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硅片厚度（цm）
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200
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厚度公差（цm）
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±20
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总厚度偏差（цm）
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≤30
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弯曲度（цm）
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≤50
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表面质量
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无孔洞、无裂纹、
无氧化花纹及用户其他要求
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