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详细介绍:
项目
亚盈体育app官网入口单晶硅片
生长方式
CZ
导电类型
P
掺杂剂
硼B
晶向
<100>
电阻率(Ω.cm)
0.5-3/1-3/3-6
电阻率径向不均匀性
≤10%
直径(mm)
150±0.5/203±0.5
切方规格(mm)
125*125/156*156
少子寿命(цs)
≥10
氧含量(atoms/cm3)
≤1×10
18
碳含量(atoms/cm3) TD>
≤5×10
16
位错密度(сm–2)
≤3000
硅片形态
切片
硅片厚度(цm)
200
厚度公差(цm)
±20
总厚度偏差(цm)
≤30
弯曲度(цm)
≤50
表面质量
无孔洞、无裂纹、
无氧化花纹及用户其他要求
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